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Typical Electrical Characteristics (continued)
1.12
1
V GS =0V
I D = -250μA
1.08
0.1
0.05
1.04
0.01
T J = 125°C
25°C
1
-55°C
0.96
0.001
0.92
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature .
500
Figure 8. Body Diode ForwardVoltageVariation with
Source Current and Temperature .
5
I D = -1A
V DS = -5V
300
200
100
C iss
C oss
4
3
2
-15V
-10V
50
30
f = 1 MHz
V GS = 0V
C rss
1
20
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Capacitance Characteristics .
Figure 10. Gate Charge Characteristics .
V DD
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
V IN
R L
90%
90%
V GS
R GEN
G
D
DUT
V OUT
V OUT
10%
10%
90%
S
V IN
10%
50%
PULSE WIDTH
50%
INVERTED
Figure 11. Switching Test Circuit .
Figure 12. Switching Waveforms .
NDS332PRev. E
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